Número de Producto del Fabricante:
TSM100N06CZ C0G
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM100N06CZ C0G-DG
Descripción:
MOSFET N-CHANNEL 60V 100A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
49 Pcs Nuevos Originales En Stock
12892625
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ENVIAR
TSM100N06CZ C0G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4382 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
167W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
TSM100
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
TSM100N06CZC0G
TSM100N06CZ C0G-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFB3307PBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
491
NÚMERO DE PIEZA
IRFB3307PBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.97
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
FDP5800
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
916
NÚMERO DE PIEZA
FDP5800-DG
PRECIO UNITARIO
1.02
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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